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韓國三星首次研發5納米半導體工藝 性能提高10%

2019-05-22 13:56:00     作者:

  韓國《中央日報》發布消息稱,三星電子已成功研發出5納米(nm)半導體工藝,并于4月中正式量產首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導體的精密工藝問題,三星電子與各企業間的技術較量也日趨激烈。

  三星電子宣布成功開發的5納米精密工藝采用了比現有的ArF更優越的EUV技術。與ArF工藝相比,EUV短波長,能夠更加準確地畫出精密半導體的電路。半導體的電路越設計越薄,芯片的尺寸變小,耗電量也同時減小,發熱也降低,因此精密工藝尤為重要。

  三星電子方面表示,此次開發的“5納米工藝”通過最優化的單元儲存設計,將比已有的7納米減少25%的面積大小,同時電量使用率提高20%,性能提高10%。

編輯:實習生1

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